| 型号： | MJD117T4 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | TRANS PWR DARL SILICON D-PAK |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MJD117T4 PDF |  |
| 其它有关文件 | MJD117 View All Specifications |
| 产品目录绘图 | DPAK Package |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 3V @ 40mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 1000 @ 2A，3V |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 频率 - 转换 | 25MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1547 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-6464-1 |